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步进光刻机获取最新

步进光刻机  
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与"步进光刻机"相关的文献前10条 更多文献>>

1.
阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状,就05μm分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案,并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准 ... 详情>>
电子工业专用设备   1999年02期   步进光刻机; 工作台; 自动对准; 投影镜头; 套刻精度;
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2.
线宽控制是光刻质量的关键。以 0 8~ 1 0 μmIC电路生产为依据 ,讨论光刻机特性影响成像线宽的因素以及使用中的最佳调整。 详情>>
电子工业专用设备   2001年01期   步进光刻机; 线宽控制; 线宽误差; 因素; 调整;
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3.
对准系统是光刻机中最精密复杂的部分,掌握对准原理是设计和使用光刻机的关键之一。阐述Nikon步进投影光刻机(Stepper)的对准机制,详细介绍目前应用于Nikon步进光刻机硅片 ... 详情>>
电子工业专用设备   2009年04期   对准系统; 步进光刻机; 对准方式; 对准模型;
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4.
本文所述的是一步进光刻机自动对准装置,该装置能保证使中间掩模图形在片子管芯上的象重合在0.1微米以内,图象投影到四个确定象限有电扫描的光导摄象管靶上,视频信号的三次谐波对每个标记 ... 详情>>
半导体设备   1985年03期  
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5.
讨论了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术 ,详细阐述了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制原理 ,提出了一种曝光剂量控制算法。实验表明 ,应用此剂量控制技术使系统的曝光剂量控制 ... 详情>>
激光杂志   2004年06期   光刻; 步进扫描投影光刻; 曝光剂量控制; CD均匀性;
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6.
通过对硅片翘曲情况及AZ603-14cp正性光刻胶的测试,在步进光刻机的聚焦曝光原理基础上分析了硅片翘曲对条宽均匀性的影响。从而得到了在集成电路,尤其是小尺寸集成电路的制造中硅片 ... 详情>>
半导体技术   2004年11期   步进光刻机; 条宽均匀性; 景深; 硅片翘曲; 曝光场; 正性光刻胶;
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7.
成像质量是光学光刻机的最主要指标,硅片调焦调平测量是光刻机控制成像质量的基础。为此建立了硅片调焦调平测量系统单个测量点的测量模型,并根据硅片形貌标准和集成电路尺寸标准,推导了近似 ... 详情>>
光学学报   2007年11期   光学器件; 光刻; 测量模型; 调焦调平; 步进光刻机;
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8.
IC封装中嵌入的微型电路连接可以通过纳米焦点X光光管技术和纳米焦点CT来检测;包括铜或金焊线、堆叠芯片、倒装焊接、微穿孔连接的封装形式。生动地描述了2维3维X射线影像技术,并且呈 ... 详情>>
电子工业专用设备   2009年05期   对准系统; 步进光刻机; 对准方式; 对准模型;
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9.
介绍了第二代PXL的原理和影响光刻分辨率的关键因素,当第二代PXL工艺因子为0.8时,对于50 nm及35 nm节点分辨率,掩模与硅片的间距可以分别达到10μm和5μm,表明第二 ... 详情>>
微细加工技术   2006年01期   第二代接近式X射线光刻; X射线; 掩模; 光刻胶; 步进光刻机; 光源;
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10.
阐述了100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的功能与构成,并通过对国内外100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的技术现状的分析,总结出了100nm步进扫描投影光刻机工件台 ... 详情>>
光机电信息   2004年05期   光刻机; 工件台; 掩模台;
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